膜厚測(cè)試儀一般要求基材導(dǎo)磁率在500以上。如果覆層材料也有磁性，則要求與基材的導(dǎo)磁率之差足夠大（如鋼上鍍鎳）。當(dāng)軟芯上繞著線圈的測(cè)頭放在被測(cè)樣本上時(shí)，儀器自動(dòng)輸出測(cè)試電流或測(cè)試信號(hào)。早期的產(chǎn)品采用指針式表頭，測(cè)量感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小，儀器將該信號(hào)放大后來(lái)指示覆層厚度。

　　如果經(jīng)常跟本測(cè)試儀打交道的朋友們都知道，該儀器是有好幾種測(cè)試方法的，比如有臺(tái)階測(cè)厚方法、熒光測(cè)厚度、金相測(cè)膜厚度、SEM測(cè)膜厚度、XPS深度剖析等等，若大家有想了解更多關(guān)于這些方法詳細(xì)內(nèi)容的，請(qǐng)看下面介紹。

　　一：臺(tái)階測(cè)厚方法

　　設(shè)備：臺(tái)階儀

　　此方法對(duì)厚度的測(cè)量范圍較寬，0.1μm到10μm均能檢測(cè)；但對(duì)樣品的要求很高，膜層與基材之間必須有臺(tái)階，且表面光滑。

　　二：熒光測(cè)厚度

　　設(shè)備：XRF測(cè)厚儀

　　此方法適用于測(cè)量厚度＞0.01μm的金屬膜層，可同時(shí)測(cè)量多層；在使用膜厚測(cè)試儀測(cè)量前需知道樣品的鍍膜工藝信息（如基材材料、膜層材料及順序）；可以實(shí)現(xiàn)無(wú)損檢測(cè)（視樣品）。

　　三：金相測(cè)膜厚度

　　設(shè)備：金相顯微鏡

　　此方法適用于測(cè)量厚度＞1μm的金屬膜層，可同時(shí)測(cè)量多層；被測(cè)樣品需要經(jīng)垂直于待測(cè)膜層取樣進(jìn)行金相制樣，再在金相顯微鏡下觀察并拍照測(cè)量待測(cè)膜層厚度。

　　四：SEM測(cè)膜厚度

　　設(shè)備：為掃描電子顯微鏡（SEM）

　　此方法測(cè)試范圍寬，適用于測(cè)量厚度0.01μm~1mm的金屬或非金屬膜層；樣品前處理與金相測(cè)厚相同，配有能譜附件（EDS）的SEM設(shè)備可以確定每一層膜層的成分。

　　五：XPS深度剖析

　　設(shè)備：X射線光電子能譜儀（XPS）

　　此方法適用于測(cè)量納米級(jí)厚度的膜層。XPS設(shè)備可以測(cè)試樣品極表面的元素成分（每次測(cè)量的信息深度為5nm左右），并且可以在樣品室內(nèi)直接對(duì)樣品表面進(jìn)行濺射，可以去除厚度（納米級(jí)）的表層物質(zhì)，膜厚測(cè)試儀的這兩個(gè)功能結(jié)合使用就可以測(cè)量出納米級(jí)膜層的厚度；

　　例如，樣品表面成分為銠元素，逐步濺射掉表面50nm后發(fā)現(xiàn)成分中開(kāi)始出現(xiàn)大量的鉑元素，那么可以判斷測(cè)試位置銠膜的厚度約為50nm。